三星第9代V-NAND闪存进展超SK海力士:明年生产第9代300层闪存

来源:中关村在线 2023-08-20 12:43:40


(资料图)

据报道,三星电子计划于明年生产第9代V-NAND闪存,将继续采用双层堆栈架构,层数超过300层。这一进度将超过其竞争对手SK海力士,后者计划在2025年上半年量产采用三层堆栈架构的321层NAND闪存。值得一提的是,三星早在2020年就首次引入了双层堆栈架构,生产了第7代V-NAND闪存芯片。 双层堆栈架构是指在300mm晶圆上生产一个3D NAND堆栈,然后在第一个堆栈的基础上建立另一个堆栈。三星即将生产的超300层第9代V-NAND将提高单个晶圆上的存储密度,这将有助于降低固态硬盘的成本。 而SK海力士的三层堆栈架构则是创建三组不同的3D NAND层,这种做法将增加生产步骤和原材料的用量,其目的是最大限度地提高产量。 据《首尔经济日报》报道,业界认为,三星在推出第9代3D NAND之后,有望在第10代430层的3D NAND中采取三层堆栈架构。业内人士表示,如果3D NAND层数超过400,原材料用量和晶圆成本也会随之增加,同时也能保证产量。 在去年10月举行的“2022三星科技日”上,三星曾提出长期愿景:到2030年将层数提升至1000层。

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