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据报道，三星电子计划于明年生产第9代V-NAND闪存，将继续采用双层堆栈架构，层数超过300层。这一进度将超过其竞争对手SK海力士，后者计划在2025年上半年量产采用三层堆栈架构的321层NAND闪存。值得一提的是，三星早在2020年就首次引入了双层堆栈架构，生产了第7代V-NAND闪存芯片。 双层堆栈架构是指在300mm晶圆上生产一个3D NAND堆栈，然后在第一个堆栈的基础上建立另一个堆栈。三星即将生产的超300层第9代V-NAND将提高单个晶圆上的存储密度，这将有助于降低固态硬盘的成本。 而SK海力士的三层堆栈架构则是创建三组不同的3D NAND层，这种做法将增加生产步骤和原材料的用量，其目的是最大限度地提高产量。 据《首尔经济日报》报道，业界认为，三星在推出第9代3D NAND之后，有望在第10代430层的3D NAND中采取三层堆栈架构。业内人士表示，如果3D NAND层数超过400，原材料用量和晶圆成本也会随之增加，同时也能保证产量。 在去年10月举行的“2022三星科技日”上，三星曾提出长期愿景：到2030年将层数提升至1000层。
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